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  • 開關(guān)電源產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

    時(shí)間:2024-07-21 01:09:28 其他畢業(yè)論文 我要投稿
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    開關(guān)電源產(chǎn)業(yè)發(fā)展分析

     從我國開關(guān)電源的發(fā)展過程可以了解國際開關(guān)電源發(fā)展的一個(gè)側(cè)面,雖然一般說來,我國技術(shù)發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平平均有5~10年差距。 70年代起,我同在黑白電視機(jī),中小型計(jì)算機(jī)中開始應(yīng)用5V,20-200A,20kHZ AC- DC開關(guān)電源。80年代進(jìn)入大規(guī)模生產(chǎn)和廣泛應(yīng)用階段,并開發(fā)研究0.5~5MHz準(zhǔn)諧振型軟開關(guān)電源。80年代中,我國通信(如程注交換機(jī))電源在AC-DC及DC-DC開關(guān)電源應(yīng)用領(lǐng)域中所六比重還比較低。80年代末我國通信電源大規(guī)模更新?lián)Q代,傳統(tǒng)的鐵磁穩(wěn)壓-整流電源和晶閘管(Thyristor,原稱可控硅元件)相控穩(wěn)壓電源為大功率(48V, 6kw) AC-DC開關(guān)電源(通信系統(tǒng)中常稱為開關(guān)型整流器SMR)所持代;并開始在辦公室自動(dòng)化設(shè)備中得到應(yīng)用。工業(yè)應(yīng)用方面,在鍋爐火焰控制,繼電保護(hù),激光,彩色TV,離子管燈絲發(fā)射電流調(diào)節(jié),離子注射機(jī),鹵鎢燈控制等系統(tǒng)中均有應(yīng)用。
     90年代我國又研制開發(fā)了一批新型專用非關(guān)電源,典型例子如下: 1.衛(wèi)星開關(guān)電源。東方紅三號(hào)通信衛(wèi)星、風(fēng)云一號(hào)、二號(hào)氣象衛(wèi)星均應(yīng)用了開關(guān)電源。特點(diǎn)是:多路輸出,不可維修性,要求長期不改變性能,設(shè)置冗余模塊,可靠性高,EMC 滿足空間環(huán)境條件,高效,輕小。 2遠(yuǎn)程火箭控制系統(tǒng)的DC-DC開關(guān)電源,要求發(fā)射過程中高度可靠。 3 1000kW牽引變流器4500V/1200A GTO門控250W開關(guān)電源。 4 40kW固體脈沖激光器的軟開關(guān)電源。用4臺(tái)10kw全橋多諧振ZVS變換器并聯(lián)。 5.焊機(jī)用雙IGBT管正激車電壓轉(zhuǎn)換一脈定調(diào)制(ZVT-PWM)軟開關(guān)電源。輸出20kW, 500A,開關(guān)頻率40kHZ,效率92%。特點(diǎn)是負(fù)載大范圍變化頻繁,工作環(huán)境惡劣。要求電源沖擊電流小,動(dòng)態(tài)特性好,無過沖,負(fù)載個(gè)影響軟開關(guān)性質(zhì)。 6.變電所在流操作系統(tǒng)開關(guān)電源。供繼電保護(hù)和自動(dòng)裝置及蓄電池充電用。代替晶閘管調(diào)壓系統(tǒng),輸出10A,180~286V。主開關(guān)管用IGBT或功率MOSFET。 7.單相和三相高功率因數(shù)整流器(有源功率同數(shù)校正器)。
     可以看出20一30年中,我國開關(guān)電源的應(yīng)用領(lǐng)域和技術(shù)性能有很大進(jìn)展,這與因家基礎(chǔ)工業(yè)和國力增強(qiáng)有密切關(guān)系,也和國際先進(jìn)開關(guān)電源技術(shù)影響有關(guān)。充分顯示了中國電源技術(shù)人員的聰明才智和艱苦奮斗的創(chuàng)業(yè)精神。 90年代,中小型(500W以下)AC-DC和DC-DC開關(guān)電源的特點(diǎn)是:高頻化(開關(guān)頻率達(dá)300-400kHZ)以達(dá)到高功率密度,體小量輕;力求高效和高可靠;低成本;低輸出電壓(≤3V;AC輸入端高功率同數(shù)等。在今后5年內(nèi)仍然將沿這些方向發(fā)展。
     主要技術(shù)標(biāo)志從技術(shù)上看,幾十年來推動(dòng)開關(guān)電源性能和技術(shù)水平不斷提高的本要標(biāo)志是:
     1.新型高頻功率半導(dǎo)體器件的開發(fā)使實(shí)現(xiàn)開關(guān)電源高頻化有了可能。 如功率MOSFET和IGBT已完全可代替功率晶體管和晶閘管,從而使中小型開關(guān)電源下作頻率可達(dá)到400kHZ(AC-DC)和1MHZ(DC-DC)的水平。超快恢復(fù)功率二極管,MOSF ET問步整流技術(shù)的開發(fā)也為高效低電壓輸出(例如3V)開關(guān)電源的研制有了可能。現(xiàn)正在探索研制耐高溫的高性能碳化磚功率來導(dǎo)體器件。
       2.軟開關(guān)技術(shù)使高效率高頻開關(guān)變換器的實(shí)現(xiàn)有了可能。 PWM開關(guān)電源按硬開關(guān)模式工作(開/關(guān)過程中電壓卜降/上升和電流上升/下降波形有交疊),因而開關(guān)損耗大。開關(guān)電源高頻化可以縮小體積重量,但開關(guān)損耗卻更大了(功耗與頻率成正比)。為此必須研究開關(guān)電比/電流波形個(gè)交更的技術(shù),即所謂零電壓(ZVS)/本電流(ZCS)開關(guān)技術(shù),或稱軟開關(guān)技術(shù)(相對(duì)于PWM硬開關(guān)技術(shù)而言),小功率軟開關(guān)電源效率可提高到80一85%。 70年代諧報(bào)開關(guān)電源奠定了軟開關(guān)技術(shù)的基礎(chǔ)。以后新的軟開關(guān)技術(shù)不斷涌現(xiàn),如準(zhǔn)諧振(80年代中)全橋移相ZVS-PWM,恒頻ZVS-PWM/ZCS-PWM(80年代末)ZVS -PWM有源鉗位;ZVT-PWM/ZCT-PWM(90年代初)全橋移相 ZV-ZCS-PWM(90年代中)等。我國已將最新軟開關(guān)技術(shù)應(yīng)用于6Kw通信電源中,效率達(dá)93%。
      3.控制技術(shù)研究的進(jìn)展。如電流型控制及多環(huán)控制,電荷控制,一周期控制,功率因數(shù)控制,DSP控制;及相應(yīng)專用集成控制芯片的研制成功等,使開關(guān)電源動(dòng)態(tài)性能有很大提高,電路也大幅度簡化。
      4.有源功率團(tuán)數(shù)校正技術(shù)(APFC)的開發(fā),提高了AC-DC開關(guān)電源功率因數(shù)。 由于輸入端有整流一電容元件,AC-DC開關(guān)電源及一大類整流電源供電的電子設(shè)備(如逆變器,UPS)等的電網(wǎng)測(cè)功率團(tuán)數(shù)僅為0.65,80年代用APFC技術(shù)后可提高到0.95 ~0.99,既治理了電網(wǎng)的諧波“污染”,又提高了開關(guān)電源的整體效率。單相APFC是DC -DC開關(guān)變換器拓?fù)浜凸β室驍?shù)控制技術(shù)的具體應(yīng)用,而三相APFC則是三相PWM整流開關(guān)拓?fù)浜涂刂萍夹g(shù)的結(jié)合。
      5.磁性元件新型磁材料和新型變壓器的開發(fā)。 如集成磁路,平面型磁心,超薄型(Low profile)變壓器;以及新型變壓器如壓電式,無磁心印制電路(PCB)變壓器等,使開關(guān)電源的尺寸重量都可減少許多。
     6.新型電容器和EMI濾波器技術(shù)的進(jìn)步,使開關(guān)電源小型化并提高了EMC性能。
     7.微處理器監(jiān)控和開關(guān)電源系統(tǒng)內(nèi)部通信技術(shù)的應(yīng)用,提高了電源系統(tǒng)的可靠性。 90年代末又提出了新型開關(guān)電源的研制開發(fā),這也是新世紀(jì)開關(guān)電源的發(fā)展遠(yuǎn)景。如:用一級(jí)AC-DC開關(guān)變換器實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓或穩(wěn)流,并具有功率因數(shù)校正功能,稱為單管單級(jí)(SingleSwitch Single Stage)或4S高功率因數(shù)AC-DC開關(guān)變換器;輸出1V, 50A的低電壓大電流DC-DC變換器,又稱電壓調(diào)節(jié)模塊VRM,以適應(yīng)下一代超快速微處理器供電的需求;多通道(Multi-Channel或Multi-Phase)DC-DC開關(guān)變換器;網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器(Server)的開關(guān)電源刊可攜帶式電子設(shè)備的高頻開關(guān)電源等。

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