物理學(xué)研究生畢業(yè)論文提綱

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　　物理學(xué)研究生畢業(yè)論文提綱范文一

　　摘要 5-7

　　Abstract 7-9

　　目錄 10-14

　　第1章 緒論 14-32

　　1.1 課題研究背景及意義 14

　　1.2 常用非球面加工技術(shù)簡(jiǎn)介 14-20

　　1.2.1 計(jì)算機(jī)控制表面成形技術(shù)(CCOS) 15-16

　　1.2.2 應(yīng)力盤拋光技術(shù) 16-17

　　1.2.3 氣囊拋光技術(shù) 17-18

　　1.2.4 離子束拋光技術(shù) 18-19

　　1.2.5 磁流變拋光技術(shù) 19-20

　　1.3 磁流變液的研究和應(yīng)用現(xiàn)狀 20-25

　　1.3.1 磁流變液的發(fā)展與應(yīng)用簡(jiǎn)介 20-22

　　1.3.2 磁流變液的研究現(xiàn)狀 22-25

　　1.4 磁流變拋光技術(shù)的研究現(xiàn)狀 25-30

　　1.4.1 磁流變拋光原理 25-26

　　1.4.2 磁流變拋光液的研究現(xiàn)狀 26-27

　　1.4.3 磁流變拋光設(shè)備的研究現(xiàn)狀 27-28

　　1.4.4 磁流變拋光的材料去除模型 28-30

　　1.5 本論文的主要研究?jī)?nèi)容 30-32

　　第2章 磁流變拋光液研制及性能測(cè)試 32-64

　　2.1 概述 32

　　2.2 磁流變拋光液的分散穩(wěn)定機(jī)理 32-36

　　2.2.1 靜電排斥理論—DLVO理論 33-34

　　2.2.2 空間排斥理論—HVO理論 34-35

　　2.2.3 磁流變拋光液中鐵磁顆粒沉降性問(wèn)題 35-36

　　2.3 磁流變拋光液的配制研究 36-48

　　2.3.1 磁流變拋光液的性能要求 36

　　2.3.2 磁流變拋光液成分的選擇 36-42

　　2.3.3 磁流變拋光液的配制工藝流程 42-48

　　2.4 磁流變拋光液的性能檢測(cè) 48-55

　　2.4.1 磁流變拋光液的分散穩(wěn)定性檢測(cè) 48-50

　　2.4.2 磁流變拋光液的零磁場(chǎng)粘度檢測(cè) 50-52

　　2.4.3 磁流變拋光液的剪切屈服應(yīng)力檢測(cè) 52-54

　　2.4.4 去除函數(shù)實(shí)驗(yàn) 54-55

　　2.5 磁流變拋光液的性能優(yōu)化 55-62

　　2.5.1 磁流變拋光液的分散體系特性 56-57

　　2.5.2 絮凝型磁流變拋光液 57-58

　　2.5.3 去除函數(shù)實(shí)驗(yàn) 58-62

　　2.6 本章小結(jié) 62-64

　　第3章 磁流變拋光循環(huán)控制系統(tǒng)及其對(duì)去除函數(shù)的影響 64-86

　　3.1 概述 64

　　3.2 磁流變拋光設(shè)備主要結(jié)構(gòu)形式 64-68

　　3.2.1 平置式磁流變拋光結(jié)構(gòu) 64-66

　　3.2.2 正置式磁流變拋光結(jié)構(gòu) 66-67

　　3.2.3 倒置式流變拋光結(jié)構(gòu) 67-68

　　3.3 磁流變拋光循環(huán)控制系統(tǒng) 68-73

　　3.3.1 磁流變拋光設(shè)備的主要結(jié)構(gòu) 68-69

　　3.3.2 循環(huán)系統(tǒng)的主要部件 69-72

　　3.3.3 控制模塊的主要部件 72-73

　　3.4 溫度變化對(duì)去除函數(shù)的影響 73-77

　　3.4.1 溫度變化對(duì)粘度的影響 73-74

　　3.4.2 溫度變化對(duì)流量的影響 74-75

　　3.4.3 溫度變化對(duì)去除函數(shù)的影響 75-77

　　3.5 粘度變化對(duì)去除函數(shù)的影響 77-81

　　3.5.1 鐵粉顆粒含量對(duì)磁流變拋光液粘度的影響 77-79

　　3.5.2 粘度變化對(duì)去除函數(shù)的影響 79-81

　　3.6 去除函數(shù)穩(wěn)定性測(cè)試 81-85

　　3.7 本章小結(jié) 85-86

　　第4章 工藝參數(shù)對(duì)工件受力和去除函數(shù)的影響 86-124

　　4.1 概述 86

　　4.2 實(shí)驗(yàn)細(xì)節(jié)描述 86-89

　　4.2.1 測(cè)量設(shè)備 87-88

　　4.2.2 拋光材料 88-89

　　4.3 壓入深度與工件受力和去除函數(shù)的關(guān)系 89-102

　　4.3.1 BK7 玻璃 91-96

　　4.3.2 RB-SiC陶瓷材料 96-101

　　4.3.3 壓入深度h0過(guò)大對(duì)去除函數(shù)的影響 101-102

　　4.4 拋光液成分對(duì)工件受力和去除函數(shù)的影響 102-119

　　4.4.1 鐵粉顆粒含量的影響 102-107

　　4.4.2 鐵粉粒徑的的影響 107-113

　　4.4.3 拋光粉含量的影響 113-119

　　4.5 材料去除效率與工件受力的關(guān)系 119-123

　　4.5.1 正壓力和壓強(qiáng)與材料去除效率關(guān)系 119-121

　　4.5.2 剪切力和剪切應(yīng)力與材料去除效率關(guān)系 121-123

　　4.6 本章小結(jié) 123-124

　　第5章 碳化硅及改性硅表面的磁流變拋光 124-149

　　5.1 概述 124

　　5.2 碳化硅材料的磁流變拋光 124-126

　　5.2.1 碳化硅的材料特性 124-125

　　5.2.2 常用碳化硅材料的比較 125-126

　　5.3 RB-SiC的磁流變拋光 126-138

　　5.3.1 RB-SiC的材料去除機(jī)理 126-130

　　5.3.2 RB-SiC的粗糙度 130-133

　　5.3.3 RB-SiC材料的實(shí)際拋光 133-138

　　5.4 RB-SiC基底改性硅表面的磁流變拋光 138-148

　　5.4.1 碳化硅材料的改性 138-140

　　5.4.2 改性硅的磁流變拋光 140-148

　　5.5 本章小結(jié) 148-149

　　第6章 總結(jié)與展望 149-151

　　6.1 總結(jié) 149-150

　　6.2 論文創(chuàng)新點(diǎn) 150

　　6.3 工作展望 150-151

　　參考文獻(xiàn) 151-159

　　物理學(xué)研究生畢業(yè)論文提綱范文二

　　摘要 5-7

　　Abstract 7-8

　　目錄 9-12

　　第1章 緒論 12-26

　　1.1 半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展 12-21

　　1.1.1 高功率半導(dǎo)體激光器 12-15

　　1.1.2 高效率半導(dǎo)體激光器 15

　　1.1.3 高可靠性半導(dǎo)體激光器 15-16

　　1.1.4 高光束質(zhì)量半導(dǎo)體激光器 16-18

　　1.1.5 窄線寬半導(dǎo)體激光器 18-21

　　1.2 單縱模半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展 21-23

　　1.2.1 國(guó)外單縱模半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展 22-23

　　1.2.2 國(guó)內(nèi)單縱模半導(dǎo)體激光器的研究進(jìn)展 23

　　1.3 本文的研究目的與內(nèi)容 23-26

　　第2章 高階光柵單縱模半導(dǎo)體激光器理論設(shè)計(jì)與分析 26-46

　　2.1 半導(dǎo)體激光器的基本特性 26-29

　　2.1.1 半導(dǎo)體的輻射躍遷 26-27

　　2.1.2 半導(dǎo)體激光器的增益與閾值條件 27-29

　　2.2 半導(dǎo)體激光器的輸出功率與轉(zhuǎn)換效率 29-31

　　2.2.1 半導(dǎo)體激光器的輸出功率 29-30

　　2.2.2 半導(dǎo)體激光器的轉(zhuǎn)化效率 30-31

　　2.3 半導(dǎo)體激光器的縱模與光譜特性 31-32

　　2.4 高階布拉格光柵波導(dǎo)的理論模型 32-38

　　2.4.1 分布反饋(DFB)激光器和分布布拉格反射(DBR)激光器 32-33

　　2.4.2 散射理論 33-36

　　2.4.3 傳輸矩陣?yán)碚撃Ｐ?36-38

　　2.5 高階布拉格光柵波導(dǎo)的光學(xué)特性分析 38-42

　　2.5.1 傳輸矩陣分析 38-40

　　2.5.2 高階布拉格光柵的損耗光譜 40-42

　　2.6 單縱模激光器的空間相干性分析 42-45

　　2.6.1 部分相干光定理 42-43

　　2.6.2 相干度理論計(jì)算方法 43-45

　　2.7 本章小結(jié) 45-46

　　第3章 高階光柵單縱模半導(dǎo)體激光器制備 46-68

　　3.1 外延生長(zhǎng)技術(shù) 46-47

　　3.2 光刻技術(shù) 47-52

　　3.3 刻蝕技術(shù) 52-61

　　3.3.1 干法刻蝕 52-55

　　3.3.2 SiO2和GaAs刻蝕工藝探索 55-59

　　3.3.3 濕法腐蝕 59-61

　　3.4 薄膜生長(zhǎng)技術(shù) 61-65

　　3.4.1 電絕緣膜生長(zhǎng)技術(shù) 62

　　3.4.2 金屬電極生長(zhǎng)技術(shù) 62-64

　　3.4.3 光學(xué)薄膜生長(zhǎng)技術(shù) 64-65

　　3.5 高階光柵半導(dǎo)體激光器的制備 65-66

　　3.6 本章小結(jié) 66-68

　　第4章 高階光柵分布布拉格反射半導(dǎo)體激光器 68-94

　　4.1 高階光柵單縱模分布布拉格反射半導(dǎo)體激光器 68-81

　　4.1.1 器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 68-76

　　4.1.2 器件制備 76-77

　　4.1.3 器件測(cè)量結(jié)果 77-81

　　4.2 雙波長(zhǎng)高階光柵分布布拉格發(fā)射激光器 81-86

　　4.2.1 器件設(shè)計(jì) 81-83

　　4.2.2 器件制備 83-84

　　4.2.3 器件測(cè)量結(jié)果 84-86

　　4.3 高階光柵耦合半導(dǎo)體激光器可靠性分析 86-92

　　4.3.1 拉曼光譜分析技術(shù)原理 87-88

　　4.3.2 測(cè)試結(jié)果與分析 88-92

　　4.4 本章小結(jié) 92-94

　　第5章 高階光柵單縱模分布反饋半導(dǎo)體激光器 94-100

　　5.1 器件制備 94-96

　　5.2 器件測(cè)量結(jié)果 96-99

　　5.3 本章小結(jié) 99-100

　　第6章 單縱模半導(dǎo)體激光器件空間相干特性的研究 100-116

　　6.1 VCSEL單管器件空間相干性研究 100-107

　　6.1.1 部分相干光理論 101-103

　　6.1.2 測(cè)試結(jié)果 103-107

　　6.2 VCSEL列陣器件的空間相干特性研究 107-114

　　6.2.1 器件設(shè)計(jì) 107-110

　　6.2.2 器件制備 110

　　6.2.3 測(cè)試結(jié)果 110-114

　　6.3 本章小結(jié) 114-116

　　第7章 總結(jié)與展望 116-118

　　參考文獻(xiàn) 118-132

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