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珠海炬力筆試題（部分、答案僅供參考）
在平時(shí)的學(xué)習(xí)、工作中，我們都要用到試題，借助試題可以為主辦方提供考生某方面的知識(shí)或技能狀況的信息。你所見(jiàn)過(guò)的試題是什么樣的呢？以下是小編收集整理的珠海炬力筆試題（部分、答案僅供參考），歡迎大家借鑒與參考，希望對(duì)大家有所幫助。
珠海炬力筆試題
1． 降低NMOS的開(kāi)啟電壓VT的方法，哪種無(wú)效？ C
A. 減少襯底的P型摻雜濃度
B. 減少氧化層厚度
C. 增加源漏極的N型摻雜濃度
D. 減少溝道長(zhǎng)度
2． IO PAD 的設(shè)計(jì)，一般不常考慮的因素 D
A. ESD特性
B. 驅(qū)動(dòng)能力
C. 施密特觸發(fā)器
D. 襯偏效應(yīng)
3． 邏輯電路低功耗設(shè)計(jì)中，無(wú)效的方法 C
A. 采用慢速設(shè)計(jì)
B. 減少信號(hào)翻轉(zhuǎn)
C. 減少IC面積
D. 采用較慢速的時(shí)鐘。
1． 寫出序列探測(cè)器“11000”的RTL代碼。
module(data_in,reset,clk,find);
input data_in,reset,clk;
output data_out;
parameter S0=0,S1=1,S2=2,S3=3,S4=4;
reg[2:0] state;
wire[2:0]next_state;
assign find=0;
always @(state)
case(state)
S0: begin
find=0;
if(data_in)
next_state=S1;
else
next_state=S0;
end
S1: begin
find=0;
if(data_in)
next_state=S2;
else
next_state=S0;
end
S2: begin
find=0;
if(!data_in)
next_state=S3;
else
next_state=S0;
end
S3: begin
find=0;
if(!data_in)
next_state=S4;
else
next_state=S0;
end
S4: begin
if(!data_in)
find=1;
else
find=0;
next_state=S0;
endcase
always@(posedge clk or negedge reset)
if(!reset)
begin
state<=S0;
end
else
stata<=next_state;
一、選擇題
1.降低NMOS的開(kāi)啟電壓VT的方法，哪種無(wú)效?
A.減少襯底的P型摻雜濃度
B.減少氧化層厚度
C.增加源漏極的N型摻雜濃度
D.減少溝道長(zhǎng)度
2.IO PAD 的設(shè)計(jì)，一般不�？紤]的因素
A.ESD特性
B.驅(qū)動(dòng)能力
C.施密特觸發(fā)器
D.襯偏效應(yīng)
3.邏輯電路低功耗設(shè)計(jì)中，無(wú)效的方法
A.采用慢速設(shè)計(jì)
B.減少信號(hào)翻轉(zhuǎn)
C.減少IC面積
D.采用較慢速的時(shí)鐘。
二、問(wèn)答題
1.寫出序列探測(cè)器“11000”的RTL代碼。
2.分析一個(gè)CMOS電路的邏輯功能(同或門)。
3.分析一個(gè)CMOS電路的邏輯功能(三態(tài)門)。
4.畫出全加器的CMOS電路，說(shuō)明延時(shí)的估算方法。
5.A,B為兩個(gè)時(shí)鐘，頻率差最小為1/8。如果A的頻率高，C="0";否則C="1";編程實(shí)現(xiàn)。
6.編程實(shí)現(xiàn)FIR濾波器，系數(shù)為C0,C1,C2,C3,C2,C1,C0。輸入了DI，輸出了DO。系數(shù)和DI均為8比特。
7.一個(gè)圓盤，一半黑，一半白。有兩個(gè)探測(cè)器，用1表示白，0表示黑。設(shè)計(jì)一個(gè)電路，可以探測(cè)出圓盤是順時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)還是逆時(shí)針轉(zhuǎn)動(dòng)
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