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  • ZnO摻雜對KNN無鉛壓電陶瓷性能的研究

    時間:2024-09-12 13:11:29 機電畢業(yè)論文 我要投稿
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    ZnO摻雜對KNN無鉛壓電陶瓷性能的研究

      摘要:采用傳統(tǒng)的固相法和普通的燒結(jié)方法,制備了不同比例的ZnO摻雜的(Na0.48K0.48Li0.04)(Nb0.86Ta0.1Sb0.04)O3無鉛壓電陶瓷,通過改變燒結(jié)溫度的高低,研究ZnO摻雜對銻酸鉀鈉基壓電陶瓷的壓電常數(shù)、介電常數(shù)和介電損耗的影響,從而獲取最佳的摻雜比例和燒結(jié)溫度。研究表明:當(dāng)ZnO的摻雜量x<2.00mol%時,壓電陶瓷的壓電常數(shù)和介電常數(shù)均呈上升趨勢,介電損耗呈下降趨勢。當(dāng)ZnO的摻雜量x> 2.00mol%時,壓電陶瓷的壓電常數(shù)和介電常數(shù)均呈下降趨勢,介電損耗成上升趨勢。壓電常數(shù)d33、介電常數(shù)εr、介電損耗tanδ通過測定得到如下結(jié)論:當(dāng)燒結(jié)溫度T=1080℃,摻雜x=2.00mol%時,壓電陶瓷的壓電系數(shù)和介電常數(shù)達到最好,其中壓電常數(shù)d33為77pC/N、介電常數(shù)εr為273.58、介電損耗tanδ為2.98%。

    ZnO摻雜對KNN無鉛壓電陶瓷性能的研究

      關(guān)鍵詞:無鉛壓電陶瓷;固相法;ZnO摻雜;燒結(jié)溫度

      一、概述

      壓電陶瓷已在能源開發(fā)、電子技術(shù)、傳感技術(shù)、激光技術(shù)、光電子技術(shù)、紅外技術(shù)、生物技術(shù)、環(huán)境科學(xué)等方面有廣泛應(yīng)用[1]。由于鉛基壓電陶瓷PZT具有優(yōu)良的壓電性能,從而得到廣泛的應(yīng)用,但是此類壓電材料中含有60%以上的有毒物質(zhì)鉛,在壓電陶瓷的生產(chǎn)、使用和廢棄處理過程中揮發(fā)的鉛都會對生態(tài)環(huán)境和人們的健康造成不可估量的傷害,因此人們迫切期盼無鉛壓電時代的到來[2]。

      無鉛壓電陶瓷是指不含鉛的壓電陶瓷,其更深層含義是指既具有較好的使用性又有良好的環(huán)境協(xié)調(diào)性的壓電陶瓷。目前,無鉛壓電陶瓷可以分為:BNT基無鉛壓電陶瓷、KNN系無鉛壓電陶瓷、BZT系無鉛壓電陶瓷,其中KNN壓電陶瓷因為具有優(yōu)良的壓電性能和機械性能,被認(rèn)為是最具有可能替代PZT的無鉛壓電材料。

      然而阻礙KNN壓電陶瓷發(fā)展的主要問題是傳統(tǒng)的方法無法燒結(jié)出致密的陶瓷體, 大大影響了壓電和機械性能,本文選擇能夠有效降低燒結(jié)溫度的ZnO作為摻雜對象。本文采用傳統(tǒng)陶瓷工藝制備無鉛壓電陶瓷,詳細(xì)探討了不同比例ZnO摻雜對KNN陶瓷燒結(jié)特性,包括對顯微結(jié)構(gòu)以及電學(xué)性能等的影響。

      二、實驗過程

      采用傳統(tǒng)的固相法[3,4]制備了(Na0.48K0.48Li0.04)(Nb0.86Ta0.1Sb0.04)O3-xZnO壓電陶瓷(x = 1.00、1.50、2.00、3.00)。首先,按配比稱量分析純原料:K2CO3、Na2CO3、Li2O3、Nb2O5、Sb2O3、Ta2O5、ZnO、無水乙醇。將原料放入烘箱中在85℃干燥2~3h,充分去除水分后迅速放入干燥器皿中冷卻至室溫。將各原料按照化學(xué)式(Na0.48K0.48Li0.04)(Nb0.86Ta0.1Sb0.04)O3配比進行配料,然后裝入研磨罐中,研磨介質(zhì)為φ2mm的鋯球進行研磨,以無水乙醇為媒介,用行星式球磨機球磨3~4h,取出烘干,在750℃保溫2h完成預(yù)燒;再將粉料充分研磨,過篩,加入質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%左右的PVA進行造粒;在5MP壓力下壓制成直徑15mm,厚l.5mm的圓片,并分別在1060℃、1080℃、1095℃、1100℃保溫2h進行燒結(jié),得到致密的陶瓷片。將陶瓷片的厚度控制在1.00mm左右,進行磨平。將磨好的陶瓷片均勻的涂上銀漿,在750℃燒結(jié)陶瓷獲得被上電極的陶瓷樣品,并在90℃的硅油中極化,極化電壓3~4kV/mm[5],極化時間30min,放置1小時左右,進行測量其相關(guān)的性能。用JSM-5900LV型掃描電子顯微鏡(SEM[6])對樣品表面進行觀察研究;采用準(zhǔn)靜態(tài)d33測量儀(ZJ-3AN型[7])測量壓電常數(shù)d33,用LCR電橋測試儀(YB2811型)測量損耗。

      三、結(jié)論分析與討論

      3.1 顯微結(jié)構(gòu)分析

      由SEM圖可以看出壓電陶瓷,在摻雜量相同(x=2.00mol%),燒結(jié)溫度不同的情況下(1060℃、1080℃、1095℃、1100℃)同種陶瓷樣品放大10000倍后的表面形貌圖如圖1所示。由圖1(a)可以看出,溫度在1060℃時,陶瓷表面有明顯的孔洞,顆粒表面比較粗糙,致密度較差。從圖1(a)、(b)、(c)、(d)可以看出,隨著溫度的升高致密度呈現(xiàn)先升高后降低的趨勢,陶瓷表面的孔洞也呈現(xiàn)先減少后增加的趨勢。一般而言,陶瓷晶粒大小會隨著燒結(jié)溫度的升高而增大,但是從陶瓷樣品的表面SEM 圖可以看出,陶瓷晶粒的大小并未發(fā)生太大的變化,這可能是由于摻雜的ZnO抑制了陶瓷晶粒的長大,在溫度T=1100℃時,陶瓷表面出現(xiàn)大量的孔洞,這可能是晶體出現(xiàn)液化的原因。

      3.2 壓電性能分析

      圖2為室溫下測量的無鉛壓電陶瓷壓電常數(shù)隨著ZnO摻雜比例的變化曲線圖。由圖2可以看出,隨著摻雜量的增加,壓電陶瓷的壓電常數(shù)呈現(xiàn)先增加后降低的趨勢。這可能是由于ZnO在一定程度上抑制了陶瓷晶粒的長大,從而使壓電常數(shù)也隨之增加;但當(dāng)燒結(jié)溫度超過一定范圍時,ZnO的抑制作用降低,使晶粒繼續(xù)增大并出現(xiàn)液化的現(xiàn)象,從而造成壓電常數(shù)的降低。當(dāng)T=1080℃,x=2.00mol%時,壓電常數(shù)達到最(d33=77pC/N)。

      3.3 介電性能分析

      圖3為室溫下測量的無鉛壓電陶瓷介電常數(shù)和介電損耗隨著摻雜量的變化曲線圖。由圖3(a)可以看出,隨著摻雜量的增加,壓電陶瓷的介電常數(shù)整體呈現(xiàn)先上升后下降的趨勢。當(dāng)T=1080℃,x=2.00mol%時,壓電陶瓷的介電常數(shù)達到最大(εr=273.58);這說明隨著陶瓷體致密度的增加壓電陶瓷的介電常數(shù)也會增加。反之介電常數(shù)也會降低。同時由圖3(b)可以看出,壓電陶瓷的介電損耗呈現(xiàn)先降低后增加的趨勢。同時,當(dāng)T =1080℃,x=2.00mol%時,介電損耗也達到最小(tanδ=2.98%)。壓電陶瓷的介電損耗與陶瓷體的致密度有關(guān),也與微觀結(jié)構(gòu)和顯微形貌有關(guān),晶粒排列緊密,晶界對電疇的夾持效應(yīng)小,電疇轉(zhuǎn)向過程中耗能少,介電損耗就會變小,反之介電損耗就會增加。

      四、結(jié)論

      采用傳統(tǒng)固相法陶瓷工藝制備了(Na0.48K0.48Li0.04)(Nb0.86Ta0.1Sb0.04)O3無鉛壓電陶瓷;用SEM觀測了樣品的表面具體(10μm)形貌,并且測量了相關(guān)的壓電和介電性能。研究結(jié)果表明:

     、僭赯nO的摻雜比例一定時,隨著溫度的升高,陶瓷的壓電常數(shù)呈現(xiàn)先升高后下降的趨勢,當(dāng)T=1080℃,x=2.00mol%時,壓電常數(shù)到達最大(d33=77pC/N)。這是由于ZnO在一定程度上抑制了晶粒的長大,從而使陶瓷的壓電常數(shù)也隨之增加;但當(dāng)溫度超過一定的范圍時,ZnO的抑制作用降低,而使晶粒繼續(xù)增大,從而造成壓電常數(shù)的降低。

     、谕ㄟ^改變ZnO的摻雜量,也使壓電陶瓷的介電常數(shù)整體呈現(xiàn)先上升后下降的趨勢,當(dāng)T=1080℃,x=2.00時,壓電陶瓷的介電常數(shù)達到最大(εr=273.58)。這是由于隨著陶瓷體致密度的增加壓電陶瓷的介電常數(shù)也會增加。反之介電常數(shù)也會降低。

     、踆nO的添加一定程度上改善了陶瓷的介電損耗,介電損耗整體呈現(xiàn)先降低后升高的趨勢,當(dāng)T=1080℃,x=2.00時,介電損耗達到最小(tanδ=2.98%)。這是由于壓電陶瓷的介電損耗與陶瓷體的致密度有關(guān),同時也與微觀結(jié)構(gòu)和顯微形貌有關(guān),晶粒排列緊密,晶界對電疇的夾持效應(yīng)小,電疇轉(zhuǎn)向過程中耗能少,介電損耗就會變小,反之介電損耗就會增加。

      參考文獻:

      [1]張東升.(K0.44Na0.52Li0.04)(Nb0.86Ta0.10Sb0.04)O3陶瓷的壓電性能[J].硅酸鹽學(xué)報,2014(4):444-447.

      [2]郭汝麗,方亮,周煥福等.低溫?zé)Y(jié)ZnO壓敏陶瓷研究進展[J].電子元件與材料,2011,30(10):80-82.

      [3]S.Shah,M.S.Ramachandra Rao.Preparation and dielectric study of high-quality PLZTx=65=35(x=6,7,8)ferroelectric ceramics[J].J.Appl.Phys.2000,(71):65-69.

      [4]B.賈菲等著.壓電陶瓷.林聲和譯.北京:科學(xué)出版社,1979:1.

      [5]Wood,A.Polymoprhism in Potassium niobate,sodium niobate,and other ABO3.

      [6]莫其逢,黃創(chuàng)高,田建民,高英俊.原子力顯微鏡與表面形貌觀察[J];廣西物理,2007(02).

      [7]崔業(yè)讓,劉心宇.Sm2O3摻雜(Ba0.7Ca0.3)TiO3-Ba(Zr0.2Ti0.8)O3無鉛壓電陶瓷的制備與性能[J].無機材料學(xué)報,2012(07).

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